SVG功率模块运行的核心关键器件就是IGBT，IGBT的寿命直接决定了SVG的寿命能否满足25年。IGBT属于电力电子半导体功率器件，与其寿命关系最密切的就是IGBT模块的热设计是否满足整个产品生命周期内的应用。

  电力电子半导体功率器件的寿命重点控制之一就是其热疲劳现象，IGBT模块动作时的热强度如下图所示，每次开通关断，IGBT模块都存在热累积现象。

  热疲劳分为两种模式：

  一种是功率循环寿命，又称P/C寿命，是指IGBT外壳温度变化很小但结温变化频繁情况下的寿命。

  由于绑定线和硅片热膨胀系数不同，IGBT模块工作时结温发生变化会导致机械应力产生。不同的热膨胀系数使中间层介质处于弯曲应用和剪切应力两种应力状态，这种应力循环累积，将会使芯片结构发生变坏，最终导致完全破坏。

  IGBT厂家都会给出一个温度循环寿命曲线，温度变化范围越高，寿命越短，温度变化范围越低，寿命越高。

  另外一种是温度循环寿命，是指IGBT从启动到停止间，温度稳定变化的动作寿命。由于系统的启动、停止使得IGBT外壳温度产生大幅度变化，绝缘基板和底板的膨胀系数不同导致他们之间的焊锡层发生应力变形，长期累积的结果就是焊锡层高龟裂， 最终延续到芯片底部的焊锡层，使得热阻抗增加导致热破坏。由于热阻的增加，结温变化增加，功率循环耐受度降低最终导致铝线剥离。

  总之，IGBT的温度控制和其寿命息息相关，温度变化范围越小，温度越低，运行寿命越长。